Theo PhoneArena, số tiền này cao gấp 3 lần so với mức phạt 400 triệu USD trước đó mà Samsung phải trả cho KAIST IP US (thuộc Viện Khoa học và Công nghệ Phát triển Hàn Quốc) do hành vi vi phạm bản quyền công nghệ. Nguyên nhân vì ban trọng tài phán quyết Samsung đã cố tình vi phạm bằng sáng chế, vốn cho phép các thẩm phán có thể áp đặt lệnh trừng phạt tăng gấp 3 lần.
Ngoài Samsung, Qualcomm và GlobalFoundries Inc. cũng bị phát hiện vi phạm cùng một bằng sáng chế. Tuy nhiên, hai công ty này đã không bị yêu cầu bồi thường thiệt hại.
Phía Tòa án Liên bang Mỹ tuyên Samsung vi phạm sở hữu trí tuệ đối với công nghệ FinFET được sử dụng trong chip xử lý mà KAIST IP US nắm giữ. FinFET là một bóng bán dẫn được sử dụng trong thiết kế của chip xử lý, sử dụng cổng điện cực dạng vây cá (lá tản nhiệt). Công nghệ này cho phép nhiều cổng mở trên bóng bán dẫn duy nhất, cho phép cải thiện hiệu suất và tiêu thụ năng lượng ít hơn trên các chip nhỏ hơn.
Samsung ban đầu không sử dụng FinFET vì chỉ xem đó là công nghệ nhất thời, tuy nhiên công ty đã thay đổi quyết định khi Intel sở hữu bản quyền dùng FinFET trên các chip xử lý của mình. Samsung phủ nhận việc vi phạm và tuyên bố rằng công ty đã làm việc với KAIST IP US để phát triển FinFET. Gã khổng lồ công nghệ nói thêm rằng họ tin cáo buộc là bất hợp lý và sẽ xem xét việc kháng cáo.
Bình luận (0)