Intel và TSMC cạnh tranh giữa tốc độ và mật độ bán dẫn

Theo báo cáo từ TechInsights, tiến trình sản xuất chip bán dẫn TSMC N2 đã đạt mật độ bóng bán dẫn 313 triệu trên mỗi milimét vuông, cao hơn Intel 18A (238 triệu) và Samsung SF3 (231 triệu). Dù vậy, mật độ không phải yếu tố duy nhất quyết định hiệu quả của một tiến trình, bởi thiết kế chip còn phụ thuộc vào cách kết hợp các loại tế bào bóng bán dẫn khác nhau.

ẢNH: TSMC

Về hiệu suất, Intel 18A có thể mang lại mức cải thiện đáng kể so với các thế hệ trước, nhưng những đánh giá hiện tại vẫn dựa trên ước tính thay vì dữ liệu thực tế. Điểm khác biệt quan trọng của Intel 18A là công nghệ PowerVia, hệ thống cấp nguồn từ mặt sau giúp tăng tốc độ và hiệu suất năng lượng. Trong khi đó, TSMC dự kiến sẽ triển khai công nghệ tương tự trong tương lai, nhưng N2 phiên bản đầu tiên chưa được tích hợp tính năng này. Đáng chú ý, không phải tất cả chip Intel 18A đều sử dụng PowerVia, tùy thuộc vào yêu cầu thiết kế của từng sản phẩm.

Về mức tiêu thụ điện năng, giới phân tích dự đoán TSMC N2 sẽ hoạt động hiệu quả hơn so với Intel 18A và Samsung SF3. TSMC vốn duy trì lợi thế về hiệu suất năng lượng qua nhiều thế hệ tiến trình và điều này có thể tiếp tục với N2.

ẢNH: INTEL

Khác biệt về thời gian ra mắt cũng là yếu tố quan trọng. Intel dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt 18A vào giữa năm 2025 để phục vụ thế hệ vi xử lý Core Ultra tiếp theo, với các sản phẩm thương mại có thể xuất hiện vào cuối năm. Trong khi đó, tiến trình N2 của TSMC sẽ bước vào giai đoạn sản xuất quy mô lớn vào cuối năm 2025, đồng nghĩa với việc các sản phẩm sử dụng N2 có thể đến giữa năm 2026 mới ra mắt thị trường.

Nhìn chung, TSMC N2 có lợi thế về mật độ bóng bán dẫn, trong khi Intel 18A có thể nhỉnh hơn về hiệu suất nhờ công nghệ PowerVia. Bên cạnh đó, Intel có lợi thế về thời gian ra mắt, giúp hãng sớm đưa sản phẩm thương mại đến tay người dùng hơn so với đối thủ.