iPhone 7 bộ nhớ 256 GB sẽ thành hiện thực?

Apple có thể sẽ sửa chữa vấn đề về bộ nhớ trong trên iPhone mà hãng ra mắt vào cuối năm nay, điều mà người dùng cảm thấy thất vọng trong các phiên bản trước, theo BGR.

Theo một số tin đồn gần đây, Apple sẽ thay thế phiên bản bộ nhớ trong khởi điểm 16 GB bằng mức 32 GB nhằm đáp ứng nhu cầu lưu trữ lớn của mọi người. Nhưng trong khi mức khởi điểm chỉ là sự tăng trưởng 16 GB thì ở mức cao cấp, iPhone 7 hoàn toàn có khả năng được nâng cấp lên mức bộ nhớ trong 256 GB để đáp ứng nhu cầu người sử dụng phung phí bộ nhớ trong vào ứng dụng và nội dung kỹ thuật số, đặc biệt những người muốn quay phim 4K.

Điều này nhiều khả năng thành hiện thực là vì Samsung vừa công bố chip bộ nhớ flash 256 GB sử dụng định dạng UFS 2.0, và đây là mức dung lượng lần đầu tiên đạt được để mở ra tương lai lưu trữ rộng lớn trên các thiết bị di động cao cấp. Samsung hiện là đối tác sản xuất chip nhớ hàng đầu trên iPhone của Apple.

UFS 2.0 là định dạng bộ nhớ flash đã được Samsung mang đến cho loạt sản phẩm Galaxy S6 và Galaxy S7, nhưng hiện chỉ giới hạn ở mức 128 GB. Đây là công nghệ bộ nhớ flash có tốc độ truy cập cực nhanh và Apple rất cần đến điều này để tăng khả năng đọc và ghi trên thiết bị của mình.

Khi kết hợp chip UFS mới với công nghệ USB 3.0, bạn hoàn toàn có thể chuyển một bộ phim Full HD nặng 5 GB từ máy tính đến điện thoại di động chỉ mất 12 giây.

Thậm chí, chip UFS mới có kích thước nhỏ hơn nhiều so với thẻ nhớ microSD gắn ngoài, có nghĩa bất kỳ nhà sản xuất smartphone nào đang phát triển các thiết bị cao cấp đều có thể cung cấp không gian lưu trữ bổ sung mà không cần lo lắng về việc điện thoại của họ dày hơn, vốn là điều mà Apple đang hướng đến trong iPhone 7 sắp tới của mình.

Ngoài iPhone 7, một cái tên khác cũng rất có cơ hội tiếp cận với chip nhớ khủng mới của Samsung đó là Galaxy Note 6 mà hãng Hàn Quốc dự kiến ra mắt vào mùa thu năm nay. Trước đó, có nhiều tin đồn nói rằng Galaxy Note 6 sẽ tích hợp bộ nhớ trong 256 GB khiến khả năng này hoàn toàn có thể xảy ra.