Trong thế giới công nghệ, việc thu nhỏ các thành phần điện tử là một nhiệm vụ hàng đầu. Trong số này, giảm kích thước bóng bán dẫn sẽ cho phép tạo ra các mạch dày đặc hơn và mạnh hơn, từ đó giúp cải thiện hiệu quả năng lượng của các thiết bị. Tuy nhiên, các phương pháp truyền thống đang đạt đến giới hạn của chúng khi phải đối mặt với những hạn chế vật lý do kích thước của các nguyên tử gây ra.
Khám phá mới được KBSI nghiên cứu giúp mở ra tương lai chip hiệu quả hơn
VIỆN KHOA HỌC CƠ BẢN HÀN QUỐC
Chính vì vậy, đột phá mới giúp vượt qua các giới hạn đến từ các nhà nghiên cứu tại Viện Khoa học Cơ bản Hàn Quốc (KBSI) thực sự đáng chú ý. Thông qua các khuyết tật tinh thể trong molypden disulfide, một vật liệu cấu trúc lamellar tinh thể có trong khoáng chất tự nhiên Molybdenite, nhóm nghiên cứu đã tạo ra được các bóng bán dẫn có kích thước nhỏ hơn 1 nanomet (nm). Tiến bộ này khắc phục được những hạn chế hiện tại của quang khắc và cho phép tạo ra các bóng bán dẫn cấu trúc nhỏ hơn nữa so với trước đây, mở ra triển vọng mới cho việc sản xuất chất bán dẫn siêu nhỏ.
Để thấy được tầm quan trọng đến từ khám phá mới, hãy lấy ví dụ với CPU Intel Core i9 thế hệ thứ 14 hiện tại được khắc ở quy trình 10nm. Trong khi đó, Samsung mới chỉ đang thử nghiệm một nguyên mẫu chip Exynos được khắc ở quy trình 2nm. Công nghệ do KBSI phát triển hứa hẹn giúp tạo ra các bóng bán dẫn có kích thước chỉ 0,5nm nhỏ hơn rất nhiều.
Mặc dù mọi thứ vẫn chỉ là lý thuyết nhưng giới công nghệ hoàn toàn có thể kỳ vọng nguyên tử mới có thể được áp dụng vào quy trình sản xuất chip tương lai. Theo các chuyên gia, chip 2nm dự kiến sẽ được ra mắt vào năm 2025, trong khi khám phá mới có thể mở ra tương lai đối với chip 0,5nm xuất hiện trước năm 2037.
Bình luận (0)