Theo PhoneArena, sạc nhanh là công nghệ mà nhiều nhà sản xuất smartphone đang muốn đưa vào sản phẩm của mình nhằm tăng sức cạnh tranh. Trên thị trường hiện tại có một số công nghệ sạc nhanh được phát triển bởi các công ty khác nhau, bao gồm SuperCharge 2.0 của Huawei có thể sạc 0-70% pin trong 30 phút, Super VOOC của Oppo có thể sạc 0-100% chỉ trong 35 phút, hay Quick Charge 4+ sạc 0-50% trong 15 phút.
Công nghệ sạc nhanh hiện tại của Qualcomm là Quick Charge 4+ và theo nguồn tin mới nhất hãng này đang phát triển một công nghệ sạc nhanh thế hệ mới có thể giúp tăng tốc độ sạc nhanh hơn đáng kể. Quick Charge 4+ là công nghệ sạc nhanh dựa trên tính năng Dual Charge, nơi 2 đường truyền năng lượng chạy song song thay vì 1 đường truyền như thông thường. Có thể tạm hiểu nó như một đoạn đường, nơi có 2 làn xe di chuyển song song sẽ nhanh đến đích hơn so với 1 làn.
Đối với công nghệ sạc nhanh thế hệ tiếp theo, Qualcomm sẽ áp dụng tính năng gọi là Triple Charge, có nghĩa là nó sẽ bổ sung thêm 1 đường truyền song song với 2 đường truyền trước đó. Kết quả là, trong khi Quick Charge 4+ chỉ cung cấp công suất 18W thì công nghệ mới có thể truyền công suất lên đến 32W, cho phép tốc độ sạc nhanh hơn đáng kể. Báo cáo cho biết việc sạc này vẫn đảm bảo khả năng tản nhiệt khi sạc giúp cho máy không quá nóng.
Ngoài công nghệ sạc nhanh mới, Qualcomm cũng phát triển phiên bản mới của sạc không dây siêu tốc. Nó sẽ dựa trên tính năng Dual Charge và cung cấp công suất đầu ra 15W thay vì chỉ giới hạn ở mức 12W như phiên bản hiện tại.
Vẫn chưa rõ thời điểm các công nghệ sạc nhanh và sạc không dây siêu tốc của Qualcomm ra mắt nhưng có khả năng nó sẽ được tích hợp trên chip Snapdragon 855 cao cấp, hứa hẹn xuất hiện trên nhiều smartphone hàng đầu như HTC U13+ hay LG G8 ThinQ vào năm sau.
Bình luận (0)