Theo TechRadar, Samsung tiếp tục khẳng định vị thế dẫn đầu trong cuộc đua công nghệ với kế hoạch sản xuất chip nhớ NAND xếp chồng 400 lớp, dự kiến ra mắt vào năm 2026. Bước tiến đột phá này sẽ mở đường cho ổ SSD dung lượng siêu khủng, đáp ứng nhu cầu lưu trữ dữ liệu khổng lồ của trí tuệ nhân tạo (AI).
Samsung muốn lập kỷ lục mới với chip nhớ NAND 400 lớp cho SSD
ẢNH: CHỤP MÀN HÌNH TECHRADAR
Chip NAND V10: Giấc mơ cho ngành lưu trữ AI của Samsung
Hiện Samsung đặt nhiều kỳ vọng vào chip NAND V10 thế hệ thứ 10, được phát triển dựa trên công nghệ BV NAND tiên tiến. Công nghệ này cho phép sản xuất các ô nhớ và mạch ngoại vi trên các tấm wafer riêng biệt, sau đó kết hợp chúng thành một chip hoàn chỉnh, giúp giảm thiểu nhiệt lượng và tối ưu hóa hiệu năng.
Mật độ bit trên mỗi đơn vị diện tích của chip NAND V10 tăng 1,6 lần so với thế hệ trước, mở ra khả năng sản xuất SSD dung lượng cực 'khủng', có thể vượt qua ngưỡng 200 TB. Đây sẽ là giải pháp lý tưởng cho các ứng dụng AI đòi hỏi khả năng xử lý khối lượng dữ liệu khổng lồ.
Không dừng lại ở chip NAND 400 lớp, Samsung còn vạch ra lộ trình phát triển đầy tham vọng như ra mắt chip NAND V11 với tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn 50% vào năm 2027, thậm chí tạo ra chip NAND với hơn 1.000 lớp vào năm 2030 để củng cố vị trí dẫn đầu.
Song song với NAND, Samsung cũng đang tập trung phát triển các dòng DRAM mới, hướng tới kích thước nhỏ gọn dưới 10 nm và hiệu năng vượt trội.
Với những nỗ lực không ngừng nghỉ này, gã khổng lồ công nghệ của Hàn Quốc đang góp phần định hình tương lai của công nghệ lưu trữ, đưa nhân loại bước vào kỷ nguyên AI với khả năng xử lý dữ liệu 'vô hạn'.
Bình luận (0)