Theo Neowin, Samsung đang bắt đầu thúc đẩy các mô-đun bộ nhớ mật độ cao của mình cho các trường hợp sử dụng như vậy và gần đây, công ty phát hành mô-đun DDR5 DRAM 512 GB đầu tiên trong ngành, một giải pháp dung lượng thực sự cao đối với mọi người.
Chưa dừng lại ở đó, Samsung có kế hoạch tiến xa hơn nữa bằng cách sản xuất mô-đun DDR5 768 GB dựa vào chip DRAM 24 Gb trong tương lai không xa. Thông tin này được đưa ra dựa vào báo cáo thu nhập quý 2 của Samsung vừa qua, khi đại diện công ty cho biết họ đang “phát triển sản phẩm DDR5 tối đa 24 Gb”. Ông cũng nói thêm Samsung đang lấy mẫu các sản phẩm 14 nm DDR5 của mình cho bộ vi xử lý Intel Alder Lake sắp tới, dự kiến sẽ ra mắt vào cuối năm nay, có thể vào ngày 27 - 28.10 tại sự kiện Intel Innovation.
Đại diện Samsung cho biết công ty đang lấy mẫu DDR5 14 nm đáp ứng lịch trình ra mắt CPU mới hỗ trợ DDR5 và PC. DDR5 dự kiến sẽ là sản phẩm mật độ cao dựa trên 16 Gb, vì vậy công ty tin rằng DDR5 này sẽ là sản phẩm mang lại hiệu quả đáng kể giúp kích thích xu hướng sử dụng mật độ cao bộ nhớ cao. Vị đại diện này nói thêm “Ngoài ra, để đáp ứng nhu cầu và yêu cầu của các công ty điện toán đám mây, Samsung cũng đang phát triển sản phẩm DDR5 tối đa 24 Gb”.
Có thể Samsung sẽ sử dụng mạch tích hợp quản lý năng lượng S2FPD02 (PMIC) mới của mình trong bộ nhớ DDR5 768 GB với hứa hẹn cung cấp hiệu suất năng lượng lên đến 91% so với các sản phẩm thế hệ trước.
Bình luận (0)